窒化ガリウム GaN MOCVDヒーター

製造現場において、歩留まりは温度に左右されます。GaNエピタキシャル成長時にMOCVDヒーターの温度が0.5℃変動するだけで、ウェーハの厚みの不均一性や不良品の発生、目標とする成長条件の達成不能などが起こります。私たちは、このような変動を排除するために、独自のGaN MOCVD用赤外線ヒーターを開...