갈륨 질화물(GaN) MOCVD 히터

생산 현장에서는 온도가 매우 중요한 요소입니다. GaN 에피택시 공정 중에 MOCVD 히터의 온도가 0.5°C만 변동해도 웨이퍼의 두께가 균일하지 않게 되고, 폐기되는 웨이퍼가 생기거나 에피택시 공정이 제대로 이루어지지 않습니다. 우리는 이러한 변수를 없애기 위해...