在制造车间中，产量其实取决于温度控制的好坏。在GaN外延生长过程中，如果MOCVD加热器的温度出现0.5℃的波动，就会导致晶圆厚度不均匀，进而产生废品，同时也会影响外延生长的质量。我们设计的GaN MOCVD红外加热器旨在消除这种波动。
核心优势在于其短波红外特性，这使得可以精确控制热场，实现亚毫米级的精度控制。整个加热区域内的温度均匀性可达到±0.1℃，且重复性良好，从而确保每次生产过程中的温度稳定。此外，该系统的响应速度很快，因此不会出现过热现象。即使经过维护、更换设备或改变洁净室的气流条件后，其温度特性依然保持稳定。该系统适用于1级到100级的洁净室环境，且在使用5,000小时以上后仍能保持稳定的输出性能，且不会产生任何颗粒物。
为何适合用于GaN MOCVD工艺
在GaN MOCVD工艺中，温度稳定性直接决定了层质量和缺陷密度。只要能够精准控制加热区的温度，就能确保生产出的产品质量，减少废品率，同时缩短调试时间。同样的高精度也适用于光刻胶的烘烤过程，从而提升关键尺寸的控制精度，减少边缘缺陷的问题。由于该系统能够精准控制温度，因此能耗也更低。
实际应用中的注意事项
安装时需要确保视线方向正确，以及石英视窗的对齐情况。如果对齐偏差超过几十分之一毫米，就会导致加热区温度出现偏差。另外，必须使用干净的电源，否则会导致电磁干扰。一旦石英部件发生变更，就需要重新进行校准，但一旦校准完成，温度特性就会保持稳定。