氮化镓 GaN MOCVD加热器

在制造车间中，产量其实取决于温度控制的好坏。在GaN外延生长过程中，如果MOCVD加热器的温度出现0.5℃的波动，就会导致晶圆厚度不均匀，进而产生废品，同时也会影响外延生长的质量。我们设计的GaN MOCVD红外加热器旨在消除这种波动。 核心优势在于其短波红外特性，这使得可以精确控制热场，实现亚毫...