<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Gali on Leading IR Heating Supplier</title>
		<link>http://ir-heating-supply.com/vi/tags/gali/</link>
		<description>Recent content in Gali on Leading IR Heating Supplier</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>vi</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Fri, 19 Jun 2026 05:58:54 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://ir-heating-supply.com/vi/tags/gali/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Bộ sưởi dựa trên chất nitrua gallium (GaN) thuộc công nghệ MOCVD</title>
				<link>http://ir-heating-supply.com/vi/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/</link>
				<pubDate>Fri, 19 Jun 2026 05:58:54 +0800</pubDate>
				<guid>http://ir-heating-supply.com/vi/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heating-supply.com/images/016cf4f616aaa15e4af48856b8adc51b.png&#34; alt=&#34;Bộ sưởi dựa trên chất nitrua gallium (GaN) thuộc công nghệ MOCVD&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Trong quy trình sản xuất GaN, yếu tố quan trọng nhất chính là nhiệt độ. Sự thay đổi nhiệt độ chỉ 0,5°C trong bộ sưởi &lt;a href=&#34;https://o-yate.com&#34;&gt;MOCVD&lt;/a&gt; trong quá trình tạo lớp phủ GaN cũng có thể gây ra sự không đồng đều về độ dày của lớp phủ, khiến các wafer bị hỏng và không đạt tiêu chuẩn yêu cầu. Chúng tôi đã thiết kế bộ sưởi hồng ngoại MOCVD dành riêng cho quy trình này, nhằm loại bỏ những yếu tố gây biến động nhiệt độ.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
