Нагреватель на нитриде галлия (GaN) методом MOCVD

Fri, 19 Jun 2026 05:58:53 +0800

На производственном участке качество продукции напрямую зависит от температуры. Изменение температуры нагревательного элемента MOCVD на 0,5°C во время процесса эпитаксии GaN приводит к неоднородности толщины слоя, бракованным пластинам и неудачам при формировании желаемых структур. Мы разработали инфракрасный нагреватель для процесса MOCVD из ГАН, чтобы устранить такие факторы, влияющие на качество продукции.

Что действительно важно Основой является использование коротковолнового инфракрасного излучения, что позволяет точно контролировать температурное поле с точностью до подмиллиметра. Удается достичь стабильности температуры в пределах ±0,1°C по всей поверхности подложки, а также обеспечивается повторяемость процесса, что способствует стабильности параметров при каждом цикле обработки. Инфракрасное излучение реагирует быстро, поэтому температура не выходит за заданные рамки. Профиль температуры сохраняется даже после технического обслуживания, замены оборудования или изменения условий в чистой комнате. Данная система подходит для использования в чистых комнатах класса 1–100; при этом не возникает пыли, а мощность выхода остается стабильной даже после 5,000 часов работы.

МОКВД on Leading IR Heating Supplier

Нагреватель на нитриде галлия (GaN) методом MOCVD