Aquecedor de nitreto de gálio (GaN) MOCVD

Fri, 19 Jun 2026 05:58:53 +0800

Na linha de produção, o rendimento depende da temperatura. Uma variação de 0,5°C no aquecedor MOCVD durante a epitaxia do GaN resulta em irregularidades na espessura das camadas formadas, além de wafers que precisam ser descartados e falhas na obtenção dos resultados desejados. Nós desenvolvemos nosso aquecedor infravermelho MOCVD para eliminar essa variação.

O que é importante por trás disso tudo
O núcleo do aquecedor é feito de radiação infravermelha de onda curta, o que permite um controle preciso do campo térmico, com precisão de até ±0,1°C em todo o suporte onde ocorre a reação química. Além disso, a repetibilidade do sistema garante que as condições térmicas se mantenham constantes de ciclo em ciclo. A resposta do sistema ao calor é rápida, evitando que as temperaturas ultrapassem os valores desejados. O perfil térmico permanece estável mesmo após manutenções, trocas de equipamentos ou mudanças nas condições de fluxo de ar da sala limpa. O design do aquecedor é adequado para salas limpas de classe 1–100, sem geração de partículas e com desempenho estável mesmo após mais de 5.000 horas de uso.

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Aquecedor de nitreto de gálio (GaN) MOCVD