Galliumnitraat (GaN) MOCVD verwarmer

Fri, 19 Jun 2026 05:58:53 +0800

Op de productiehal hangt de kwaliteit van het product af van de temperatuur. Een verschil van 0,5°C in de temperatuur van de MOCVD-verwarmer tijdens het proces van GaN-epitaxie heeft als gevolg dat de dikte van de lagen ongelijkmatig wordt, waardoor er wafer’s verloren gaan en de gewenste resultaten niet worden behaald. We hebben onze GaN MOCVD-infraroodverwarmer ontworpen om deze variabiliteit te elimineren.

Wat belangrijk is onder de motorkap
De kern van de verwarmer is een kortegolfinfraroodapparaat, waardoor er een nauwkeurige controle over het thermische veld mogelijk is. Er wordt een constante temperatuur van ±0,1°C gerealiseerd over het hele oppervlak van de susceptor. Bovendien blijft de temperatuur constant, zelfs na onderhoud of wisseling van het apparaat. De reactie op infrarode straling is snel, zodat er geen overschrijdingen van de gewenste temperatuur optreden. Het profiel van de temperatuur blijft ook na dit soort acties constant. Het apparaat past in schoonruimtes van klasse 1–100; er wordt geen stof geproduceerd en de output blijft stabiel, zelfs na meer dan 5.000 uur gebruik.

(GaN) on Leading IR Heating Supplier

Galliumnitraat (GaN) MOCVD verwarmer