Riscaldatore a MOCVD di nitruro di gallio (GaN)

Fri, 19 Jun 2026 05:58:53 +0800

Nelle linee di produzione, il rendimento dipende dalla temperatura. Una variazione di 0,5°C nel riscaldatore MOCVD durante l’epitassia del GaN fa sì che lo spessore dei cristalli diventi non uniforme, con conseguente scarto di prodotti difettosi e impossibilità di raggiungere gli obiettivi prefissati. Abbiamo progettato il nostro riscaldatore a infrarossi MOCVD per eliminare questa variabilità.

Cosa è importante nel funzionamento del dispositivo
Il nucleo del riscaldatore è costituito da un sistema a infrarossi a lunghezza d’onda corta, che permette un controllo preciso della temperatura, anche su scale sub-millimetriche. Si ottiene così una uniformità della temperatura di ±0,1°C su tutta la superficie del substrato, oltre a una ripetibilità tale da garantire costanze termiche nel corso dei cicli di produzione. La risposta del riscaldatore agli stimoli esterni è rapida, quindi non si verificano sovraccarichi termici. Inoltre, il profilo termico rimane stabile anche dopo manutenzioni, sostituzioni degli elementi del dispositivo o cambiamenti nella circolazione dell’aria nelle sale pulite. Il dispositivo è adatto per essere utilizzato in sale pulite di classe 1–100; inoltre, non genera particelle e mantiene una prestazione stabile anche dopo oltre 5.000 ore di funzionamento.

Nitride on Leading IR Heating Supplier

Riscaldatore a MOCVD di nitruro di gallio (GaN)