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		<title>Nitride on Leading IR Heating Supplier</title>
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				<title>गैलियम नाइट्राइड (GaN) MOCVD हीटर</title>
				<link>http://ir-heating-supply.com/hi/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/</link>
				<pubDate>Fri, 19 Jun 2026 05:58:56 +0800</pubDate>
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				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heating-supply.com/images/016cf4f616aaa15e4af48856b8adc51b.png&#34; alt=&#34;गैलियम नाइट्राइड (GaN) MOCVD हीटर&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;फैब्रिकेशन प्रक्रिया में, उत्पादकता तापमान पर ही निर्भर है। GaN एपिटैक्सी के दौरान MOCVD हीटर में 0.5°C का बदलाव भी स्लैबों की मोटाई में असमानता, अप्रयुक्त स्लैबों, एवं गलत उत्पादन परिणामों का कारण बनता है। हमने इस तरह की असमानताओं को दूर करने हेतु GaN MOCVD इन्फ्रारेड हीटर विकसित किया।&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;महत्वपूर्ण विशेषताएँ&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;यह हीटर शॉर्ट-वेव इन्फ्रारेड तरंगों का उपयोग करता है; इससे थर्मल फील्ड पर सटीक नियंत्रण संभव होता है। ससेप्टर पर ±0.1°C की स्थिरता बनी रहती है, एवं चक्र-दर-चक्र थर्मल स्थितियाँ स्थिर रहती हैं। इन्फ्रारेड प्रतिक्रिया बहुत तेज है; इसलिए तापमान में कोई अतिरिक्त बदलाव नहीं होता। रखरखाव, उपकरणों में बदलाव, या क्लीनरूम की हवा की गति में बदलाव होने के बाद भी यह हीटर अपनी स्थिति बनाए रखता है। यह डिज़ाइन क्लास 1–100 क्लीनरूमों में उपयोग हेतु उपयुक्त है; इसमें कोई कण नहीं उत्पन्न होते, एवं 5,000+ घंटों तक भी इसका आउटपुट स्थिर रहता है।&lt;/p&gt;</description>
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