<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>גליום on Leading IR Heating Supplier</title>
		<link>http://ir-heating-supply.com/he/tags/%D7%92%D7%9C%D7%99%D7%95%D7%9D/</link>
		<description>Recent content in גליום on Leading IR Heating Supplier</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>he</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Fri, 19 Jun 2026 05:58:56 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://ir-heating-supply.com/he/tags/%D7%92%D7%9C%D7%99%D7%95%D7%9D/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>חיממן מסוג MOCVD שעשוי מניטריד גליום (GaN)</title>
				<link>http://ir-heating-supply.com/he/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/</link>
				<pubDate>Fri, 19 Jun 2026 05:58:56 +0800</pubDate>
				<guid>http://ir-heating-supply.com/he/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heating-supply.com/images/016cf4f616aaa15e4af48856b8adc51b.png&#34; alt=&#34;חיממן מסוג MOCVD שעשוי מניטריד גליום (GaN)&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;בקו הייצור, האיכות תלויה בטמפרטורה. שינוי של 0.5°C בטמפרטורת החימום בתהליך MOCVD במהלך ייצור GaN גורם לחוסר אחידות בעובי השכבות, לפסולת של וופרים, ולכישלון בהשגת היעדים הנדרשים. ייצרנו את החימום בתהליך MOCVD ל-GaN כדי להפחית את השינויים האלו.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;מה חשוב באמת?&lt;/strong&gt;&#xA;הליבה של המערכת היא קרינת אינפרא-אדום בגלי אורך קצר, מה שמאפשר שליטה מדויקת בטמפרטורה – ברמה של פחות ממילימטר אחד. ניתן להשיג אחידות של ±0.1°C בכל שטח החימום, והשליטה בטמפרטורה נשמרת לאורך זמן. תגובת המערכת לשינויי טמפרטורה היא מהירה, כך שאין סיכוי לעקיפת הערכים הרצויים. הפרופיל של הטמפרטורה נשמר גם לאחר תחזוקה, שינוי ציוד או שינויים בזרימת האוויר בחדר הנקי. המערכת מתאימה לחדרי נקיות מסוג Class 1–100, עם אפס ייצור של חלקיקים וביצועים יציבים לאורך יותר מ-5,000 שעות.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
