בקו ה-300mm, הדילול של ה-wafer ממש לפני חיתוך הוא הנקודה שבה המתח התרמי מתורגם לאובדן תשואה. גוף חימום תמיכה שמזיז או מתנגש במהלך השחיקה האחורית יגרום לסדקים ב-wafer הדק ויוביל ליצירת סדקים מיקרוסקופיים שיתגלו מאוחר יותר כשגיאות. בנינו את גוף החימום של השחיקה האחורית כדי למנוע את חוסר הוודאות הזו ולשמור על חום יציב ואחיד באזור שבו המצע פגיע ביותר.
הליבה היא מערך פולטות קוורץ אינפרא-אדום בגל קצר, מכויל לחימום מהיר וממוקד עם אחידות ברמת ה-wafer של ±0.1°C. החזרתיות בטמפרטורה נשמרת ב±0.5°C לאורך החלפות משמרות ומשך חיי הנורה, כך שהתקציב התרמי נשאר בתוך המפרט עבור כל wafer. אזור החימום מבודד מהשלב המכניקלי, ולכן יצירת חלקיקים נשארת אפסית בפועל.
המערכת מדורגת לפי דרישות חדר נקי Class 1–100, וכל משטח במסלול התרמי מותאם למזער פליטת גזים ופיזור חלקיקים.
בתהליך השחיקה האחורית דרוש חום לשחרור המתח ולשמירת ההיצמדות, מבלי לרכך את הפוטורזיסט או לפגוע בשכבות הגב האחוריות. גוף החימום מגיע לטמפרטורה הרצויה תוך שניות, שומר על יציבות תחת עומסי ספינדל משתנים, ופועל 24/7 ללא עצירות בלתי מתוכננות. התוצאה היא פחות שבירות בקצוות, פחות פסולת ושליטה על עובי שנשמרת עקבית לאורך כל המנה.
ההתקנה מתבססת על התאמת המידות בין הצ’אק לממשק הנשא. קיימים ערכות retrofit לפלטפורמות נפוצות, אך טולרנס היישור צמוד. מומלץ לתקצב ריצה קצרה לאימות וכיול פרופיל PID עבור ערימת הסרטים ומחזור העבודה של הספינדל.
לאחר כיול, חלון התהליך נפתח – ונשאר פתוח.