Chauffeur à MOCVD en nitrure de gallium (GaN)

Fri, 19 Jun 2026 05:58:53 +0800

Dans les usines de fabrication, le rendement dépend fortement de la température. Une variation de 0,5 °C dans la température du chauffage MOCVD pendant l’épitaxie du GaN se traduit par des inégalités de épaisseur des couches, des wafer rejetés, ainsi que des échecs lors de l’épitaxie. Nous avons conçu notre chauffage infrarouge MOCVD pour éliminer cette variabilité.

Ce qui est important en termes de fonctionnement Le cœur du système est un dispositif à infrarouges à ondes courtes, ce qui permet un contrôle précis du champ thermique, au niveau sub-millimétrique. On obtient ainsi une homogénéité de température de ±0,1 °C sur toute la surface du support, avec une répétabilité suffisante pour garantir une stabilité des conditions thermiques d’un cycle à l’autre. La réponse aux changements de température est rapide, ce qui évite tout dépassement des valeurs cibles. De plus, le profil de température reste stable même après des interventions de maintenance ou des changements de matériel, sans parler des variations liées au flux d’air dans la salle propre. Ce système convient aux salles propres de classe 1–100, avec zéro production de particules et une performance stable même après plus de 5 000 heures de fonctionnement.

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Chauffeur à MOCVD en nitrure de gallium (GaN)