در فرآیند تولید، بازدهی محصولات به دما بستگی دارد. تغییر ۰.۵ درجه سانتیگراد در دمای هیتر MOCVD در حین فرآیند تشکیل لایههای GaN، منجر به عدم یکنواختی ضخامت لایهها، از بین رفتن ویفرهای ناقص، و عدم دستیابی به اهداف مورد نظر میشود. ما هیتر مادون قرمز MOCVD خود را طوری طراحی کردهایم که این نوسانات را از بین ببرد.
چه چیزهایی مهم هستند؟
هسته این هیتر، امواج مادون قرمز کوتاهبُرد است؛ این ویژگی امکان کنترل دقیق دمایی را فراهم میکند. دقت کنترل دما در سراسر سطح قطعه، حدود ±۰.۱ درجه سانتیگراد است؛ همچنین، بازتولیدپذیری این سیستم نیز بالاست و باعث میشود تا دما در هر چرخه تولید یکنواخت باقی بماند. پاسخگویی این سیستم در برابر تغییرات دما نیز سریع است؛ بنابراین، دما از حد مشخص شده فراتر نمیرود. همچنین، پروفایل دمایی این سیستم، حتی پس از تعمیرات، تغییر محیط کار، یا تغییر جریان هوا در اتاقهای تمیز، تغییر نمیکند. این سیستم برای اتاقهای تمیز درجه ۱ تا ۱۰۰ مناسب است؛ همچنین، این سیستم هیچ ذرهای تولید نمیکند و خروجی آن حتی پس از ۵٬۰۰۰ ساعت کار نیز پایدار باقی میماند.
چرا این سیستم برای فرآیند GaN MOCVD مناسب است؟
در فرآیند GaN MOCVD، پایداری دما، تعیینکننده کیفیت لایهها و میزان نقصهای آنها است. با حفظ دمای مناسب، میتوان به اهداف مورد نظر رسید، مقدار ویفرهای ناقص کاهش یافت، و زمان تستهای لازم نیز کوتاهتر شود.
همین دقت، در مراحل پخت فوتورزیست نیز مفید است؛ این ویژگی باعث میشود کنترل ابعاد حیاتی بهتر شود و مشکلات مربوط به لبههای قطعه کاهش یابد. همچنین، از آنجایی که این سیستم دما را به خوبی کنترل میکند، مصرف انرژی نیز کمتر خواهد بود.
جزئیات عملی
نصب این سیستم، به تنظیمات مربوط به خط دید و همچنین تطبیق محل قرارگیری قطعات کوارتز بستگی دارد. اگر این تنظیمات با اختلاف چند دهم میلیمتری انجام شود، دمای منطقه گرم، تغییر خواهد کرد.
برای جلوگیری از ورود نویزهای الکترومغناطیسی، باید از منبع تغذیه مناسب و زمینسازی صحیح استفاده کرد. هرگونه تغییر در قطعات کوارتز، نیاز به تنظیم مجدد دارد؛ اما پس از تنظیم، پروفایل دمایی سیستم تغییر نخواهد کرد.