Galliumnitrid (GaN) MOCVD Heizer

Fri, 19 Jun 2026 05:58:53 +0800

In der Fertigungsstätte hängt die Ausbeute von der Temperatur ab. Eine Abweichung von 0,5 °C im Heizer des MOCVD-Verfahrens während der Epitaxie von GaN führt zu Uneinheitlichkeiten in der Dicke der Schichten, zu Ausschusswaren sowie zu Fehlern bei der Herstellung der gewünschten Schichten. Wir haben unseren infrarotbetriebenen Heizer für GaN-MOCVD so konzipiert, dass diese Schwankungen ausgeschlossen werden.

Was wirklich wichtig ist:
Der Kern des Heizers arbeitet im Bereich des Kurzwellen-infrarots – dadurch kann das thermische Feld präzise gesteuert werden. Es wird eine Konstanz von ±0,1 °C über die gesamte Fläche des Substrats erreicht. Zudem sorgt die schnelle Reaktion des Heizers dafür, dass keine Übertemperaturen entstehen. Das Temperaturprofil bleibt auch nach Wartungsarbeiten oder Wechseln der Geräte sowie bei Veränderungen der Luftzufuhr in den Reinräumen stabil. Der Heizer eignet sich für Reinräume der Klassen 1–100 – es entstehen keine Partikel, und die Leistung bleibt über 5.000 Stunden hinweg konstant.

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Galliumnitrid (GaN) MOCVD Heizer