Na lince 300mm je ztenčování waferu těsně před řezáním místem, kde se tepelný stres proměňuje ve ztrátu výtěžnosti. Podpůrný ohřívač, který během broušení zespodu kolísá nebo zaznamenává náhlé špičky, praskne tenké wafery a vytvoří mikrotrhliny, které se později projeví jako poruchy. Navrhli jsme náš podpůrný ohřívač pro broušení zespodu tak, aby eliminoval tuto nejistotu a udržoval teplo stabilní a rovnoměrné v místech nejzranitelnějších částí substrátu.
Jádrem je pole infračervených křemenných emitérů krátkých vlnových délek, laděné pro rychlé, lokalizované ohřívání s uniformitou na úrovni waferu ±0,1°C. Opakovatelnost teploty je udržována na ±0,5°C přes směnové změny i životnost lampy, takže tepelný rozpočet zůstává v rámci specifikace pro každý wafer. Horká zóna je izolována od mechanického stolu, čímž je produkce částic efektivně nulová.
Zařízení je certifikováno pro čisté prostory třídy 1–100 a každá plocha v tepelné cestě je specifikována tak, aby minimalizovala výpary a odlupování.
Při broušení zespodu je potřeba teplo, které uvolní stres a udrží pevnost spojení, aniž by došlo k změknutí fotorezistu nebo poškození zadních vrstev filmu. Náš ohřívač dosahuje nastavené teploty během několika sekund, udržuje stabilní teplotu i při proměnném zatížení vřetena a pracuje nepřetržitě 24/7 bez neplánovaných odstávek. Výsledkem je méně odštípnutých hran, méně odpadu a konzistentní kontrola tloušťky napříč šarží.
Instalace spočívá v přesném sladění rozměrů rozhraní mezi upínací deskou a nosičem. Pro běžné platformy jsou dostupné retrofitové sady, avšak tolerance na zarovnání jsou úzké. Je třeba počítat s krátkým kvalifikačním během pro doladění PID profilu vzhledem k vrstvení filmu a provoznímu režimu vřetena.
Po kalibraci se procesní okno otevře – a zůstane otevřené.