なぜ半導体製造において熱風加熱から赤外線加熱へと移行しているのか？ もし熱風循環を利用したことがある人なら、その手順はよくわかるでしょう。まず空気を加熱し、その空気が部品を温めることを期待するのです。しかし、半導体製造の世界では、この「空気」という中介体が大きな時間の無駄になっています。 特に硬化や乾燥の工程では、温度が上がるのを待つだけで、生産効率が低下してしまいます。本当にイライラします。 問題は、この遅れです。 赤外線加熱では、この中介体を省略できます。チャンバーが温まるのを待つ代わりに、赤外線は電磁波としてエネルギーを直接基板に送り込みます。瞬時に加熱されます。部屋全体が温まるのを待つ必要はなく、エネルギーを直接材料に与えるのです。 これは速度において天と地ほどの違いがあります。 ただし、赤外線ランプをコンベアーに取り付けるだけでは不十分です。筐体の設計が非常に重要です。高品質のステンレス鋼を使用するのは、他の素材ではそのような高温下で変形したり酸化したりしてしまうからです。 筐体は反射器として機能し、システム全体の骨格となります。ここでの精度が何よりも重要です。数ミリメートルでも位置がずれると、熱の集中が起こります。赤外線波が正確にウェーハに当たるように、私たちはその公差にこだわります。 しかし、ここに問題があります。 赤外線加熱は速いですが、条件が厳しいです。明確な線路が必要です。熱風はすべての部分を包み込むので便利ですが、赤外線は懐中電灯のようなものです。光が当たらない場所は加熱されません。 複雑な3D形状の部品を扱う場合、1つのランプでは不十分です。そうすると、冷却点が発生してしまいます。これを解決するために、複数のヒーターを使用したり、部品を回転させて、各角度から加熱できるようにします。 しかし、最も大きな利点は、スペースの節約です。 巨大で重たいオーブンを使う代わりに、コンパクトな加熱モジュールを使えば、スペースを節約でき、処理時間も短縮できます。また、部品の周りの空気を温めるために大量の電力を無駄にすることもありません。