ফ্যাব ফ্লোরে, উৎপাদনশীলতা নির্ভর করে তাপমাত্রার উপর। GaN এপিট্যাক্সির সময় MOCVD হিটারের তাপমাত্রায় ০.৫°C এর পরিবর্তন ঘটলে উৎপাদিত ওয়েফারগুলোর পুরুত্বে অসমতা দেখা দেয়; ফলে অপ্রয়োজনীয় ওয়েফারগুলো নষ্ট হয়ে যায়। আমরা এই ধরনের অসমতাগুলো দূর করার জন্য নিজস্ব GaN MOCVD ইনফ্রারেড হিটার তৈরি করেছি।
কী গুরুত্বপূর্ণ?
এর কোরটি শর্ট-ওয়েভ ইনফ্রারেড ধরনের; ফলে তাপীয় ক্ষেত্রটিকে সূক্ষ্মভাবে নিয়ন্ত্রণ করা যায়। সাব-মিলিমিটার স্তরে তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ করা যায়; আর চক্র-থেকে-চক্রে তাপীয় অবস্থা স্থিতিশীল থাকে। ইনফ্রারেড রেসপন্স দ্রুত হওয়ায় তাপমাত্রা অতিরিক্ত না হয়। রক্ষণাবেক্ষণ, টুল পরিবর্তন, অথবা ক্লিনরুমের বায়ুপ্রবাহ পরিবর্তনের পরও এর কার্যকারিতা অক্ষুণ্ণ থাকে। এটি Class 1–100 ক্লিনরুমে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত; ৫,০০০+ ঘন্টা ব্যবহারের পরও এর কার্যকারিতা অক্ষুণ্ণ থাকে।
কেন GaN MOCVD-এ এটি কার্যকর?
GaN MOCVD-এ তাপমাত্রার স্থিতিশীলতাই লেয়ারের গুণমান ও ত্রুটির মাত্রা নির্ধারণ করে। তাপীয় অঞ্চলটিকে নিয়ন্ত্রণ করলে নির্ধারিত তাপমাত্রা অর্জন করা যায়; ফলে অপ্রয়োজনীয় ওয়েফারগুলো কমে যায় এবং প্রক্রিয়াগুলো দ্রুত সম্পন্ন হয়।
একই নির্ভুলতা ফটোরেজিস্ট বেকিং প্রক্রিয়াতেও কাজ করে—ফলে ক্রিটিক্যাল ডাইমেনশন ভালোভাবে নিয়ন্ত্রণ করা যায়। আর যেহেতু সিস্টেমটি তাপমাত্রাকে স্থিতিশীলভাবে বজায় রাখে, তাই কম শক্তি ব্যবহৃত হয়।
ব্যবহারিক বিবরণসমূহ
ইনস্টলেশনের জন্য লাইন-অফ-সাইট জিওমেট্রি ও কোয়ার্টজ ভিউপয়েন্টের সারিয়াকরণ গুরুত্বপূর্ণ। কয়েক দশমিক মিলিমিটার এর ভুল হলেই তাপীয় অঞ্চলটি বিচ্যুত হয়ে যায়।
পরিষ্কার গ্রাউন্ডিং সহ একটি ডেডিকেটেড পাওয়ার ফিড ব্যবহার করলে তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ ভালো থাকে। কোয়ার্টজওয়্যার পরিবর্তন হলে দ্রুত রিক্যালিব্রেশন দরকার হয়; কিন্তু একবার সেট করা হলে তাপমাত্রা অক্ষুণ্ণ থাকে।